STW15N95K5, MOSFETs N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1784 шт., срок 6-9 недель
7 200 ֏
от 25 шт. —
5 100 ֏
от 100 шт. —
4 060 ֏
от 250 шт. —
3 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 200 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор полевой STW15N95K5 от производителя STMicroelectronics обеспечивает высокую надежность и эффективность для электронных схем. Оснащенный корпусом TO247 для THT монтажа, данный N-MOSFET транзистор имеет ток стока 7,6 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 950 В, что делает его идеальным для работы в сильноточных и высоковольтных применениях. Мощность устройства достигает 170 Вт, в то время как сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,41 Ом, гарантируя высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Используйте STW15N95K5 для создания надежных и мощных электронных решений. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 7.6 |
| Напряжение сток-исток, В | 950 |
| Мощность, Вт | 170 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.41 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 410 mOhms |
| Series: | STW15N95K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.41Ом |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SuperMESH 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 170Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.41Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 410mΩ@10V, 6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 855pF@100V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 170W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF@100V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
