FGAF40N60UFTU, IGBT Transistors 40A/600V/ IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 320 ֏
от 10 шт. —
3 830 ֏
от 25 шт. —
3 050 ֏
от 100 шт. —
2 450 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 320 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PF-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | FGAF40N60UFTU_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | FGAF40N60UF |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-3PF |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.96 |
