NXH350N100H4Q2F2P1G, IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-
![NXH350N100H4Q2F2P1G, IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-](https://static.chipdip.ru/lib/147/DOC021147809.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
227 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 227 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
Maximum Continuous Collector Current | 303 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 592 W |
Number of Transistors | 4 |
Package Type | Q2PACK(Pb-Free/Halide-Free) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2744 КБ