SD2932W, RF MOSFET Transistors N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 шт., срок 5-8 недель
192 000 ֏
от 10 шт. —
160 000 ֏
от 25 шт. —
157 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 192 000 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors
Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Common Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 40 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 125 |
| Maximum Frequency (MHz) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500000 |
| Maximum VSWR | 5(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Screw |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Output Power (W) | 300(Min) |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 5 |
| Pin Count | 5 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | Case M-244 |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Typical Drain Efficiency (%) | 60 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 5(Min) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 480@50V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 190@50V |
| Typical Power Gain (dB) | 16 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 18@50V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1287 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
