STB11NK50ZT4, MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
![Фото 1/2 STB11NK50ZT4, MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516338.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842069.jpg)
1500 шт., срок 7-9 недель
3 000 ֏
от 10 шт. —
2 510 ֏
от 100 шт. —
1 970 ֏
от 250 шт. —
1 950 ֏
1 шт.
на сумму 3 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 125 W |
Qg - заряд затвора | 49 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 480 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 18 ns |
Время спада | 15 ns |
Высота | 4.6 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 77 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB11NK50Z |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 41 ns |
Типичное время задержки при включении | 14.5 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.35 mm |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet STB11NK50ZT4
pdf, 393 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг