STB34NM60ND, MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1855 шт., срок 6-9 недель

13 100 ֏

от 10 шт. — 10 700 ֏

от 25 шт. — 10 000 ֏

от 100 шт. — 7 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 100 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005442078

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	29A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2785pF @ 50V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	190W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 14.5A, 10V
Series	FDmeshв(ў II
Standard Package	1
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	4