STB80N20M5, MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
![STB80N20M5, MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6-9 недель
8 100 ֏
от 10 шт. —
6 800 ֏
от 25 шт. —
6 600 ֏
от 100 шт. —
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 100 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 176 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1.6 S |
Id - Continuous Drain Current: | 61 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Pd - Power Dissipation: | 190 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 104 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
Rise Time: | 31 ns |
Series: | STB80N20M5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | N-Channel MDmesh V Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 131 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 66 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 61 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 23@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 190000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Process Technology | MDmesh |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 104 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 104@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4329@50V |
Вес, г | 3.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 880 КБ
Datasheet STB80N20M5
pdf, 929 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг