STD20NF20, MOSFETs Low charge STripFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13820 шт., срок 7-9 недель
2 820 ֏
от 10 шт. —
2 250 ֏
от 100 шт. —
1 680 ֏
от 250 шт. —
1 550 ֏
1 шт.
на сумму 2 820 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Описание Транзистор полевой STD20NF20 от STMicroelectronics – высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Устройство имеет тип N-MOSFET, что обеспечивает эффективное управление током, и монтируется по технологии SMD, что гарантирует удобство в интеграции на печатные платы. С током стока до 18 А и напряжением сток-исток до 200 В, этот транзистор способен выдерживать значительные нагрузки, имея при этом мощность до 90 Вт. Корпус DPAK обеспечивает надежную механическую защиту и хороший теплоотвод. Используйте код STD20NF20 для удобства поиска и заказа этого компонента в нашем магазине. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 18 |
| Напряжение сток-исток, В | 200 |
| Мощность, Вт | 90 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.125Ом |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.125Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Емкость, пФ | 940 |
| Заряд затвора, нКл | 39 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 200 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 18 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 125 |
| Мощность | рассеиваемая(max)-110 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Описание | N-Channel 200 V 18A(Tc)110W(Tc)Surface Mount DPAK |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/300 |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
