STD26P3LLH6, MOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11349 шт., срок 7-9 недель
1 150 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 100 шт. —
680 ֏
от 500 шт. —
520 ֏
1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,5А, 40Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Width | 6.2mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STD26P3LLH6
pdf, 705 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
