STD2HNK60Z-1, MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2933 шт., срок 6-9 недель
940 ֏
от 10 шт. —
760 ֏
от 100 шт. —
630 ֏
от 500 шт. —
560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 2 А, Rси(вкл): 4.8 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 30 В
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 11 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 30 ns |
Время спада | 50 ns |
Высота | 6.2 mm |
Длина | 6.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STD2HNK60Z-1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Ширина | 2.4 mm |
Base Product Number | STD2HNK60 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | SuperMESHв„ў -> |
Supplier Device Package | I-PAK |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4800@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-251 |
Supplier Package | IPAK |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 50 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 280@25V |
Typical Rise Time (ns) | 30 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 827 КБ
Datasheet
pdf, 844 КБ
Datasheet STD2HNK60Z1
pdf, 899 КБ
Datasheet STD2HNK60Z-1
pdf, 812 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг