STD3LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET
![STD3LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ 2 A MDmesh K5 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5128 шт., срок 7-9 недель
1 630 ֏
от 10 шт. —
1 280 ֏
от 100 шт. —
930 ֏
от 500 шт. —
730 ֏
1 шт.
на сумму 1 630 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a DPAK package
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
Pd - рассеивание мощности | 45 W |
Qg - заряд затвора | 2.63 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.75 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 7 ns |
Время спада | 26 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD3LN80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet STD3LN80K5
pdf, 641 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг