Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STE48NM50, MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50, MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 шт., срок 6-9 недель

34 900 ֏

от 10 шт. — 27 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 34 900 ֏

Номенклатурный номер: 8005442111

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	100
Fall Time:	23 ns
Forward Transconductance - Min:	20 S
Id - Continuous Drain Current:	48 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	ISOTOP-4
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	450 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	117 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	100 mOhms
Rise Time:	35 ns
Series:	STE48NM50
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	18 ns
Typical Turn-On Delay Time:	40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	28.35