Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF23N80K5, MOSFET N-channel 800 V ...

STF23N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

963 шт., срок 6-9 недель

6 800 ֏

от 10 шт. — 6 200 ֏

от 25 шт. — 4 760 ֏

от 100 шт. — 3 810 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005442128

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in TO-220FP package

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	9 ns
Время спада	9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF23N80K5
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	48 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.23Ом
Power Dissipation	35Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh K5
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	16А
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	35Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.23Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Вес, г	0.33