STGD6NC60H-1, IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
2589 шт., срок 7-9 недель
1 100 ֏
от 10 шт. —
840 ֏
от 100 шт. —
650 ֏
от 500 шт. —
496 ֏
1 шт.
на сумму 1 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | IPAK-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Series: | STGD6NC60H-1 |
| Tradename: | PowerMESH |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 352 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
