STP11N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1885 шт., срок 6-9 недель

2 090 ֏

от 10 шт. — 1 600 ֏

от 100 шт. — 1 240 ֏

от 500 шт. — 970 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 090 ֏

Номенклатурный номер: 8005442336

Unclassified

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	16.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	370 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	6.3 ns
Время спада	9.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP11N60DM2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	31 ns
Типичное время задержки при включении	11.7 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2