STP5NK52ZD, MOSFETs N Ch 520V Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1210 шт., срок 6-9 недель
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 140 ֏
от 250 шт. —
1 060 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N Ch 520V Zener SuperMESH
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 520 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 13.6 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP5NK52ZD |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.4 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.4A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 520V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Series | SuperMESHв(ў |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet STP5NK52ZD
pdf, 772 КБ
Datasheet STP5NK52ZD
pdf, 758 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
