STB23N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3459 шт., срок 7-9 недель

6 500 ֏

от 10 шт. — 5 100 ֏

от 25 шт. — 4 330 ֏

от 100 шт. — 3 670 ֏

1 шт. на сумму 6 500 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005537473

Unclassified

MOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.23Ом
Power Dissipation	190Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh K5
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	16А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	190Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.23Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 100V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	190W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 8A, 10V
Series	MDmeshв(ў K5
Standard Package	1
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100ВµA
Вес, г	1