STF11N60DM2
![STF11N60DM2](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3930 шт., срок 8-10 недель
1 740 ֏
от 50 шт. —
1 250 ֏
от 100 шт. —
960 ֏
от 500 шт. —
820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 6.3 ns |
Время спада | 9.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF11N60DM2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 31 ns |
Типичное время задержки при включении | 11.7 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Техническая документация
Datasheet STF11N60DM2
pdf, 439 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг