STF6N95K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1578 шт., срок 8-10 недель
2 000 ֏
от 50 шт. —
1 430 ֏
от 100 шт. —
1 130 ֏
от 500 шт. —
950 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 950В, 6А, 90Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.25 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF6N95K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Power Dissipation | 25Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 25 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.25 Ohms |
| Series | STF6N95K5 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Tradename | MDmesh |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1258 КБ
Datasheet
pdf, 910 КБ
Datasheet STF6N95K5
pdf, 910 КБ
Datasheet STP6N95K5
pdf, 500 КБ
Datasheet STF6N95K5
pdf, 916 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
