STP8N90K5

Фото 1/2 STP8N90K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
940 шт., срок 8-10 недель
3 780 ֏
от 50 шт.2 580 ֏
от 100 шт.2 050 ֏
от 500 шт.1 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 780 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006120126
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 900V 8A (Tc) 130W (Tc) сквозное отверстие TO-220

Технические параметры

Base Product Number STP8N90 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
REACH Status REACH Unaffected
Series MDmeshв„ў K5 ->
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100ВµA
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение MDmesh
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP8N90K5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 701 КБ
Datasheet STP8N90K5
pdf, 562 КБ
STP8N90K5
pdf, 567 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 30 августа1 бесплатно
HayPost 3 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг