STP3N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1841 шт., срок 8-10 недель
2 000 ֏
от 50 шт. —
1 430 ֏
от 100 шт. —
1 150 ֏
от 500 шт. —
910 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 800V 2.5A (Tc) 60W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
| Base Product Number | STP3N80 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESH5в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP3N80K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 2.8Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.8Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
