NXH100B120H3Q0PTG, IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 700 ֏
от 10 шт. —
68 000 ֏
от 24 шт. —
66 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 78 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The NXH100B120H3Q0 is a power integrated module (PIM) containing a dual boost stage consisting of two 50A/1200V IGBTs, two 20A/1200V SiC diodes, and two 25A/1600V anti-parallel diodes for the IGBTs.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 186 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | Q0BOOST |
| Pin Count | 22 |
| Transistor Configuration | Dual |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1441 КБ
