FGHL50T65SQDT, IGBT Transistors IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 000 ֏
от 10 шт. —
6 400 ֏
от 25 шт. —
4 940 ֏
от 100 шт. —
3 940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The ON Semiconductor IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30.0V |
| Maximum Power Dissipation | 134 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 356 КБ
