STD18N60M6, MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2433 шт., срок 6-9 недель
2 630 ֏
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 100 шт. —
1 690 ֏
от 250 шт. —
1 330 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 630 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Drain current | 13A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 16.8nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.23Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 110W |
| Pulsed drain current | 38A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.23 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | M6 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 531 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
