STB6N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
![Фото 1/3 STB6N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC022402180.jpg)
1007 шт., срок 6-9 недель
2 580 ֏
от 10 шт. —
2 000 ֏
от 100 шт. —
1 520 ֏
от 250 шт. —
1 310 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 580 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В 4,5A 85Вт 1,6Ом DІPak
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 110 W |
Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB6N80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг