STB6N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET

Фото 1/3 STB6N80K5, MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1007 шт., срок 6-9 недель
2 580 ֏
от 10 шт.2 000 ֏
от 100 шт.1 520 ֏
от 250 шт.1 310 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 580 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006263858
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В 4,5A 85Вт 1,6Ом DІPak

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4.5 A
Pd - рассеивание мощности 110 W
Qg - заряд затвора 7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STB6N80K5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1266 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг