Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW30NC60WD, IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

STGW30NC60WD, IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

598 шт., срок 6-9 недель

6 300 ֏

от 10 шт. — 4 850 ֏

от 25 шт. — 4 420 ֏

от 100 шт. — 3 540 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 300 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006266586

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Описание Транзистор БТИЗ STGW30NC60WD от производителя STMicroelectronics — высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного управления мощной нагрузкой. Продукт имеет монтаж THT, обеспечивающий надежное соединение с печатной платой. С током коллектора в 60 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, этот IGBT транзистор способен выдержать мощность до 200 Вт. Компактный корпус TO247 удобен для монтажа и эксплуатации в различных электронных устройствах. Модель STGW30NC60WD характеризуется высокой эффективностью и долговечностью, что делает её идеальным выбором для промышленных и бытовых применений, требующих надежного управления мощными электрическими процессами. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	60
Напряжение коллектор-эмиттер, В	600
Мощность, Вт	200
Корпус	TO247

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.1 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	30 A
Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Factory Pack Quantity	600
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	20.15 mm
Length	15.75 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	200 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	600-650V IGBTs
Technology	Si
Width	5.15 mm
Вес, г	38