STD7NM60N, MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3514 шт., срок 6-9 недель
2 670 ֏
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 100 шт. —
1 590 ֏
от 250 шт. —
1 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 670 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 3А, 45Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 2500 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 50V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
Series | MDmeshв(ў II |
Supplier Device Package | DPAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 45 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 900@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
PCB changed | 2 |
PPAP | No |
Process Technology | MDmesh |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 12 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 363@50V |
Typical Rise Time (ns) | 10 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг