STD10N60M2, MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

16723 шт., срок 6-9 недель

1 960 ֏

от 10 шт. — 1 520 ֏

от 100 шт. — 1 120 ֏

от 500 шт. — 890 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 960 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8006413175

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

600V 7.5A 85W 600mΩ@3A,10V 4V@250uA null DPAK MOSFETs ROHS

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.55Ом
Power Dissipation	85Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh M2
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	7.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	85Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.55Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Continuous Drain Current (Id)	7.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	600mΩ@3A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	400pF@100V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	85W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	13.5nC@10V
Type	null
Вес, г	1