STB75NF75LT4, MOSFET N-Ch 75 Volt 75 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

921 шт., срок 6-9 недель

3 520 ֏

от 10 шт. — 2 760 ֏

от 100 шт. — 1 960 ֏

от 250 шт. — 1 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 520 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8006427638

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 75A 300Вт 0.011Ом DІPAK

Case	D2PAK
Drain current	70A
Drain-source voltage	75V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±15V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting	SMD
On-state resistance	13mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	300W
Technology	SuperMesh™
Type of transistor	N-MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	75 A
Maximum Drain Source Resistance	11 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	75 V
Maximum Gate Source Voltage	-15 V, +15 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	300 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	STripFET II
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	75 nC @ 5 V
Width	9.35mm