SCTWA90N65G2V-4, MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ 119 A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
401 шт., срок 5-8 недель
43 500 ֏
от 25 шт. —
30 100 ֏
от 50 шт. —
29 200 ֏
от 100 шт. —
28 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 119 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.024 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | SCTWA90N65G2V-4 |
| Transistor Material | SiC |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 232 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
