STFI12N60M2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1487 шт., срок 8-10 недель

2 180 ֏

от 50 шт. — 1 520 ֏

от 100 шт. — 1 230 ֏

от 500 шт. — 970 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 180 ֏

Номенклатурный номер: 8006716674

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал, 600 В, 9 А (Tc), 25 Вт (Tc), сквозное отверстие, I2PAKFP (TO-281)

Base Product Number	STFI12N ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	538pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	Not Applicable
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-262-3 Full Pack, IВІPak
Power Dissipation (Max)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 4.5A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	MDmeshв„ў M2 ->
Supplier Device Package	I2PAKFP (TO-281)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA