STGWT40V60DF
20 шт., срок 8-10 недель
5 900 ֏
1 шт.
на сумму 5 900 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Полевой упор для траншеи IGBT 600 В, 80 А, 283 Вт, сквозное отверстие TO-3P
Технические параметры
| Base Product Number | STGWT40 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 226nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 283W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 456ВµJ (on), 411ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 52ns/208ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 607 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
