STT6N3LLH6

Фото 1/3 STT6N3LLH6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт. с центрального склада, срок 3 недели
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.670 ֏
от 10 шт.550 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 780 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002032367
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,75А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOT23-6

Технические параметры

Base Part Number STT6N
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 6A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 283pF @ 24V
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case SOT-23-6
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V
Series DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI
Supplier Device Package SOT-23-6
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250ВµA
кол-во в упаковке 3000
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.021Ом
Power Dissipation 1.6Вт
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET VI DeepGATE
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.021Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet STT6N3LLH6
pdf, 1055 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 22 июля1 бесплатно
HayPost 25 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг