Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP13NM60N, Транзистор полевой MOSFET ...

STP13NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 шт. с центрального склада, срок 3 недели

880 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 14 шт. — 710 ֏

от 28 шт. — 660 ֏

от 50 шт. — 630 ֏

3 шт. на сумму 2 640 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007100845

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Технические параметры

Корпус	to-220-3
Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	90 W
Qg - заряд затвора	27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	8 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP13NM60N
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	10 ns
Id - Continuous Drain Current	11 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	90 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	360 mOhms
Rise Time	8 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns
Unit Weight	0.01164 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	360 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	90 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	30 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	2.76