STGB18N40LZT4, Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
907 шт. с центрального склада, срок 3 недели
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 37 шт. —
530 ֏
от 74 шт. —
493 ֏
от 148 шт. —
462 ֏
4 шт.
на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Base Part Number | STG*18N | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A | |
Gate Charge | 29nC | |
IGBT Type | - | |
Input Type | Logic | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
Packaging | Cut Tape(CT) | |
Part Status | Active | |
Power - Max | 150W | |
Series | PowerMESHв(ў | |
Supplier Device Package | D2PAK | |
Switching Energy | - | |
Td (on/off) @ 25В°C | 650ns/13.5Вµs | |
Test Condition | 300V, 10A, 5V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420V | |
Channel Type | N | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 420 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | 16V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 150 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 3 | |
Switching Speed | 1MHz | |
Transistor Configuration | Single | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 420 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A | |
Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -12 V, 16 V | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package / Case: | D2PAK-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 150 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Qualification: | AEC-Q101 | |
Series: | STGB18N40LZT4 | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Вес, г | 1.93 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 571 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGB18N40LZT4
pdf, 891 КБ
Datasheet STGD18N40LZT4
pdf, 561 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг