Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › SD2931-10W, RF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch ...

SD2931-10W, RF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

151 шт., срок 5-8 недель

90 600 ֏

от 10 шт. — 74 700 ֏

от 25 шт. — 72 500 ֏

от 50 шт. — 70 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 90 600 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007173739

Бренд: STMicroelectronics

Описание

RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors

The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Voltage	125 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Maximum Power Dissipation	389 W
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	M174
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	24.89mm
Вес, г	10