STW15N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. с центрального склада, срок 3 недели
5 900 ֏
от 2 шт. —
5 300 ֏
от 5 шт. —
4 840 ֏
1 шт.
на сумму 5 900 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STW15N80K5 от компании STMicroelectronics представляет собой высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот N-MOSFET транзистор способен работать с током стока до 8,8 А и выдерживает напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным выбором для мощных применений. С мощностью в 190 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,3 Ом, STW15N80K5 эффективно управляет электрическими нагрузками с высокой эффективностью. Корпус TO247 обеспечивает надежную конструкцию для длительной работы. Выбирая STW15N80K5, вы получаете надежность и высокую производительность от известного производителя полупроводниковых устройств. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 8.8 |
Напряжение сток-исток, В | 800 |
Мощность, Вт | 190 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.3 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375 mOhm @ 7A, 10V |
Series | SuperMESH5в(ў |
Supplier Device Package | TO-247 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 190 W |
Qg - заряд затвора | 32 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Серия | STW15N80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
Maximum Drain Source Resistance | 375 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 190 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Case | TO247 |
Drain current | 8.8A |
Drain-source voltage | 800V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.3Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 190W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1735 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1282 КБ
Datasheet STW15N80K5
pdf, 1712 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг