STD8NM50N
![Фото 1/2 STD8NM50N](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941047.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
3672 шт., срок 8-10 недель
2 890 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
от 100 шт. —
1 630 ֏
от 500 шт. —
1 290 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 890 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 3А, 45Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 45 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 14 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 790 mOhms |
Series: | STD8NM50N |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 646 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг