STD2N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6112 шт., срок 8-10 недель
2 050 ֏
от 10 шт. —
1 520 ֏
от 100 шт. —
1 110 ֏
от 500 шт. —
880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,3А, 45Вт, DPAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 4.5Ом |
Power Dissipation | 45Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh K5 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 2А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4.5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Base Part Number | STD2N80 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 100V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
Series | SuperMESH5в(ў |
Supplier Device Package | DPAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | 30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 110 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
Series: | STD2N80K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг