STS1DNC45
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5689 шт., срок 8-10 недель
2 760 ֏
от 10 шт. —
2 140 ֏
от 100 шт. —
1 570 ֏
от 500 шт. —
1 250 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 760 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 Ohms |
| Rise Time: | 4 ns |
| Series: | STS1DNC45 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 4 ns |
| Height | 1.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 400 mA |
| Length | 5 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOIC-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.1 Ohms |
| Rise Time | 4 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 450 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4 mm |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Datasheet STS1DNC45
pdf, 300 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
