STB8NM60D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2874 шт., срок 8-10 недель
2 850 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
от 100 шт. —
1 620 ֏
от 500 шт. —
1 280 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 850 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | STB8NM60D |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 721 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
