STD16NF25

Фото 1/2 STD16NF25
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2930 шт., срок 8-10 недель
2 490 ֏
от 10 шт.1 920 ֏
от 100 шт.1 400 ֏
от 500 шт.1 110 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 490 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8007612448
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Standard Products
STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, are available to make adding to a design-in easy.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.195Ом
Power Dissipation 85Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET II
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 250В
Непрерывный Ток Стока 14А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 85Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.195Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 17 ns
Id - Continuous Drain Current: 14 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Pd - Power Dissipation: 85 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 18 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 235 mOhms
Rise Time: 17 ns
Series: STD16NF25
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 35 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 706 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 30 августа1 бесплатно
HayPost 3 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг