STD2HNK60Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13880 шт., срок 8-10 недель
1 680 ֏
от 10 шт. —
1 280 ֏
от 100 шт. —
920 ֏
от 500 шт. —
730 ֏
1 шт.
на сумму 1 680 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 2A 45Вт 4,8Ом TO252 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 50 ns |
| Высота | 2.4 mm |
| Длина | 6.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD2HNK60Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.2 mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 50 ns |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 45 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.8 Ohms |
| Rise Time | 30 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 6.2 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 884 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
