STN3N40K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44082 шт., срок 8-10 недель
1 030 ֏
от 10 шт. —
850 ֏
от 100 шт. —
550 ֏
от 500 шт. —
414 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Fall Time: | 14 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 11 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.4 Ohms |
Rise Time: | 8 ns |
Series: | STN3N40K3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 901 КБ
Datasheet STN3N40K3
pdf, 919 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг