STW19NM50N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 780 ֏
1 шт.
на сумму 2 780 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-Channel MOSFET, 14 A, 500 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW19NM50N
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 50V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў II |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 17 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | STW19NM50N |
| Технология | Si |
| Тип | MDmesh II Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 61 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
