STGD20N45LZAG
![Фото 1/2 STGD20N45LZAG](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC043126302.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/083/DOC047083828.jpg)
2 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
4 490 ֏
от 2 шт. —
3 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 490 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
IGBT, AEC-Q101, 450V, 25A, TO-252; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):450V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.1V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pin
Технические параметры
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 25(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | 16(V) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | DPAK |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 2+Tab |
Rad Hardened | No |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 475 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.25 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 625 uA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -12 V, 16 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Energy Rating | 300mJ |
Gate Capacitance | 1011pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 475 V |
Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 16V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Transistors | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг