STB100N6F7, MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1640 шт., срок 7-9 недель
2 380 ֏
от 10 шт. —
1 850 ֏
от 100 шт. —
1 400 ֏
от 500 шт. —
1 100 ֏
1 шт.
на сумму 2 380 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.6 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET F7 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
| Width | 9.35mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
