STN3N40K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
131 шт. с центрального склада, срок 3 недели
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
580 ֏
от 10 шт. —
449 ֏
от 100 шт. —
389 ֏
2 шт.
на сумму 1 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 400V, 1.8A, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Pow
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.4 Ohms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | STN3N40K3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 901 КБ
Datasheet STN3N40K3
pdf, 919 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
