STL30N10F7, MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1568 шт., срок 6-9 недель

1 120 ֏

от 10 шт. — 850 ֏

от 100 шт. — 640 ֏

от 500 шт. — 487 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 120 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8008469659

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Resistance	35 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	75 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PowerFLAT 5x6
Pin Count	8
Series	STripFET H7
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ 10 V
Width	5.4mm
Вес, г	1