RF2L16180CB4, RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
165 000 ֏
от 10 шт. —
135 000 ֏
от 25 шт. —
131 000 ֏
1 шт.
на сумму 165 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF MOSFET Transistors
The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz.
Технические параметры
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 65 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | B4E |
| Pin Count | 4 |
| Series | RF2L |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
